優(yōu)質(zhì)熱電阻溫度計

熱電阻(RTD)溫度計，適用于衛(wèi)生和無菌應(yīng)用場合

公制型儀表，采用通用技術(shù)

適用于所有標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用場合，帶固定不可更換鎧裝 芯子

應(yīng)用

• 專門設(shè)計用于食品&飲料和生命科學(xué)行業(yè)中的衛(wèi)生和無菌應(yīng)用場合

• 測量范圍為–50…+200 °C (–58…+392 °F)

• Z大壓力為 50 bar (725 psi)

• Z高防護等為 IP69K

• 可以在非防爆區(qū)域中使用

優(yōu)質(zhì)熱電阻溫度計

4…20 mA HART®模擬量輸出

優(yōu)勢

• 高性價比和發(fā)貨迅速

• 用戶友好且可靠的從產(chǎn)品選型至維護過程

• 認(rèn)證：衛(wèi)生型標(biāo)準(zhǔn)，符合 3-A®認(rèn)證、EHEDG 測試、ASME BPE 認(rèn)證、FDA 認(rèn)證、TSE 適用性認(rèn)證

• 提供多種過程連接

測量原理

熱電阻(RTD)

熱電阻采用符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)的 Pt100 溫度傳感器。溫度傳感器為溫度敏感性鉑熱電阻，阻抗 為 100 ? (0 °C (32 °F)時)，溫度系數(shù)為 α = 0.003851 °C-1。

通常，有兩種不同類型的鉑熱電阻：

• 繞線式(WW)：由兩根細的高純度鉑絲在陶瓷載體內(nèi)繞制而成，并通過陶瓷保護層在載體頂部 和底部對鉑絲進行密封處理。此類熱電阻具有高可重現(xiàn)性，過程溫度高達 600 °C (1112 °F)時， 仍能保證良好的阻抗-溫度關(guān)系的長期穩(wěn)定性。繞線式(WW)熱電阻的體積較大，抗振性較差。

• 薄膜式鉑電阻溫度計(TF)：在真空狀態(tài)下，將厚度約為 1 μm 的超高純度鉑層汽化固定在陶瓷基 板上，光刻制作而成。由此構(gòu)成的鉑導(dǎo)體形成測量阻抗。附加覆蓋層和鈍化層可靠保護薄鉑 層，防止高溫條件下出現(xiàn)氧化和污染。

薄膜式(TF)熱電阻與繞線式(WW)熱電阻相比，突出優(yōu)點為較小的體積和較好的抗振性。高溫條件 下，薄膜式(TF)熱電阻的阻抗-溫度關(guān)系偏差較小，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)。因此，薄膜式(TF)熱電阻的溫度測量誤差可達溫度等 A，符合 IEC 60751 標(biāo)準(zhǔn)(Z高溫度約為 300 °C (572 °F))。所以， 薄膜式(TF)熱電阻通常僅在溫度低于 400 °C (752 °F)的條件下測量。

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